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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SSM3J14TTE85LF
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RFQ
622
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM U-MOSII Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM 700mW (Ta) P-Channel 30V 2.7A (Ta) 85 mOhm @ 1.35A, 10V - 413pF @ 15V 4V, 10V ±20V
SSM3J14TTE85LF
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RFQ
3,523
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM U-MOSII Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM 700mW (Ta) P-Channel 30V 2.7A (Ta) 85 mOhm @ 1.35A, 10V - 413pF @ 15V 4V, 10V ±20V
SSM3J14TTE85LF
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3,138
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM U-MOSII Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM 700mW (Ta) P-Channel 30V 2.7A (Ta) 85 mOhm @ 1.35A, 10V - 413pF @ 15V 4V, 10V ±20V
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