- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,752
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB | Automotive, AEC-Q101 | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | ITO-220AB | 28W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 7.7A (Tc) | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25.2nC @ 10V | 886pF @ 50V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,555
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251 | Automotive, AEC-Q101 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3, IPak, Short Leads | TO-251 | 125W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 5.5A (Tc) | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25nC @ 10V | 886pF @ 50V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
1,593
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 125W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 7.7A (Tc) | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25.2nC @ 10V | 886pF @ 50V | 10V | ±30V |