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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TK70D06J1(Q)
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 60V 70A TO220W - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220(W) 45W (Tc) N-Channel 60V 70A (Ta) 6.4 mOhm @ 35A, 10V 2.3V @ 1mA 87nC @ 10V 5450pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
TK60D08J1(Q)
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RFQ
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 75V 60A TO220W - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220(W) 140W (Tc) N-Channel 75V 60A (Ta) 7.8 mOhm @ 30A, 10V 2.3V @ 1mA 86nC @ 10V 5450pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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