- 系列 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
- Vgs(最大值) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,375
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV | U-MOSVI | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-SOP Advance (5x5) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) | P-Channel | 30V | 34A (Ta) | 4.8 mOhm @ 17A, 10V | 2V @ 500µA | 115nC @ 10V | 4800pF @ 10V | 4.5V, 10V | +20V, -25V | |||
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获得报价 |
743
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-HSMT (3.2x3) | 20W (Tc) | P-Channel | 20V | 30A (Tc) | 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V | 1.2V @ 1mA | 60nC @ 4.5V | 4800pF @ 10V | 4.5V | ±8V | |||
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获得报价 |
831
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-HSMT (3.2x3) | 20W (Tc) | P-Channel | 20V | 30A (Tc) | 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V | 1.2V @ 1mA | 60nC @ 4.5V | 4800pF @ 10V | 4.5V | ±8V | |||
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获得报价 |
937
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-HSMT (3.2x3) | 20W (Tc) | P-Channel | 20V | 30A (Tc) | 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V | 1.2V @ 1mA | 60nC @ 4.5V | 4800pF @ 10V | 4.5V | ±8V |