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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRLR3802TRLPBF
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RFQ
1,231
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 12V 84A DPAK HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 88W (Tc) N-Channel - 12V 84A (Tc) 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41nC @ 5V 2490pF @ 6V 2.8V, 4.5V ±12V
IRLR3802PBF
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986
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 12V 84A DPAK HEXFET® Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 88W (Tc) N-Channel - 12V 84A (Tc) 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41nC @ 5V 2490pF @ 6V 2.8V, 4.5V ±12V
IRLR3802TRPBF
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3,857
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 12V 84A DPAK HEXFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 88W (Tc) N-Channel - 12V 84A (Tc) 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41nC @ 5V 2490pF @ 6V 2.8V, 4.5V ±12V
IRLR3802TRPBF
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811
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 12V 84A DPAK HEXFET® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 88W (Tc) N-Channel - 12V 84A (Tc) 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41nC @ 5V 2490pF @ 6V 2.8V, 4.5V ±12V
IRLR3802TRPBF
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2,194
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 12V 84A DPAK HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 88W (Tc) N-Channel - 12V 84A (Tc) 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41nC @ 5V 2490pF @ 6V 2.8V, 4.5V ±12V
IRLU3802PBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA I-PAK 88W (Tc) N-Channel - 12V 84A (Tc) 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41nC @ 5V 2490pF @ 6V 2.8V, 4.5V ±12V
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