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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIHF12N65E-GE3
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RFQ
3,671
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 33W (Tc) N-Channel 650V 12A (Tc) 380 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 1224pF @ 100V 10V ±30V
SIHF12N65E-GE3
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RFQ
1,833
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 33W (Tc) N-Channel 650V 12A (Tc) 380 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 1224pF @ 100V 10V ±30V
SIHF12N65E-GE3
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 33W (Tc) N-Channel 650V 12A (Tc) 380 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 1224pF @ 100V 10V ±30V
SIHP12N65E-GE3
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 156W (Tc) N-Channel 650V 12A (Tc) 380 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 1224pF @ 100V 10V ±30V
SIHB12N65E-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263) 156W (Tc) N-Channel 650V 12A (Tc) 380 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 1224pF @ 100V 10V ±30V
SIHB12N65E-GE3
单位
$3.13
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RFQ
2,275
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263) 156W (Tc) N-Channel 650V 12A (Tc) 380 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 1224pF @ 100V 10V ±30V
SIHB12N65E-GE3
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$1.42
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263) 156W (Tc) N-Channel 650V 12A (Tc) 380 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70nC @ 10V 1224pF @ 100V 10V ±30V
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