- 制造商 :
- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,806
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 7.1W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 16A (Tc) | 12 mOhm @ 6A, 10V | 3.5V @ 250µA | 68nC @ 10V | 3165pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,579
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 | HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 690W (Tc) | N-Channel | - | 300V | 50A (Tc) | 80 mOhm @ 25A, 10V | 6.5V @ 4mA | 65nC @ 10V | 3165pF @ 25V | 10V | ±20V |