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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
3,654
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP POWER MOS V® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP® 450W (Tc) N-Channel - 1200V 15A (Tc) 800 mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 2.5mA 485nC @ 10V 7800pF @ 25V 10V ±30V
IXTK20N150
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$33.85
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RFQ
3,126
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IXYS MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264 (IXTK) 1250W (Tc) N-Channel - 1500V 20A (Tc) 1 Ohm @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 215nC @ 10V 7800pF @ 25V 10V ±30V
IXTX20N150
单位
$17.94
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RFQ
1,539
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IXYS MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PLUS247™-3 1250W (Tc) N-Channel - 1500V 20A (Tc) 1 Ohm @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 215nC @ 10V 7800pF @ 25V 10V ±30V
IXTK110N30
单位
$17.15
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RFQ
2,881
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IXYS MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 MegaMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264 (IXTK) 730W (Tc) N-Channel - 300V 110A (Tc) 26 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 390nC @ 10V 7800pF @ 25V 10V ±20V
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