- 零件状态 :
- 包装材料 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,080
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 | OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 80A (Tc) | 7.4 mOhm @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 180nC @ 10V | 6130pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,773
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK | OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | PG-TO262-3-1 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 80A (Tc) | 7.4 mOhm @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 180nC @ 10V | 6130pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,434
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | OptiMOS™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 80A (Tc) | 7.1 mOhm @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 180nC @ 10V | 6130pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,960
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220 | HiPerFET™, Polar™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220-3 | 357W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 37A (Tc) | 104 mOhm @ 18.5A, 10V | 5V @ 250µA | 145nC @ 10V | 6130pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1