- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,305
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV | U-MOSVII-H | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-SOP Advance (5x5) | 1.6W (Ta), 63W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 48A (Ta) | 2.2 mOhm @ 24A, 10V | 2.3V @ 1mA | 74nC @ 10V | 6200pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,566
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 10-PolarPAK® (L) | 10-PolarPAK® (L) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 60A (Tc) | 1.17 mOhm @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 145nC @ 10V | 6200pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
606
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 10-PolarPAK® (L) | 10-PolarPAK® (L) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 60A (Tc) | 1.17 mOhm @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 145nC @ 10V | 6200pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
797
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 10-PolarPAK® (L) | 10-PolarPAK® (L) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 60A (Tc) | 1.17 mOhm @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 145nC @ 10V | 6200pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1