- 包装/箱 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,216
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-WDSON | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | 2.8W (Ta), 42W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 13A (Ta), 50A (Tc) | 10.4 mOhm @ 10A, 10V | 3.5V @ 40µA | 31nC @ 10V | 2100pF @ 40V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,227
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 74A (Tc) | 7.2 mOhm @ 37A, 10V | 3.8V @ 36µA | 29nC @ 10V | 2100pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
825
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 74A (Tc) | 7.2 mOhm @ 37A, 10V | 3.8V @ 36µA | 29nC @ 10V | 2100pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,764
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | N-Channel | - | 80V | 74A (Tc) | 7.2 mOhm @ 37A, 10V | 3.8V @ 36µA | 29nC @ 10V | 2100pF @ 40V | 6V, 10V | ±20V |