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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SUD50P08-26-E3
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RFQ
788
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 50A TO252 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 8.3W (Ta), 136W (Tc) P-Channel - 80V 50A (Tc) 26 mOhm @ 12.9A, 10V 4V @ 250µA 155nC @ 10V 5160pF @ 40V 10V ±20V
SI7455DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) P-Channel - 80V 28A (Tc) 25 mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 250µA 155nC @ 10V 5160pF @ 40V 6V, 10V ±20V
SI7455DP-T1-E3
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$1.32
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3,254
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) P-Channel - 80V 28A (Tc) 25 mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 250µA 155nC @ 10V 5160pF @ 40V 6V, 10V ±20V
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