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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	GP1M010A080H		获得报价	PDF RFQ	3,649 有现货	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220	290W (Tc)	N-Channel	800V	9.5A (Tc)	1.05 Ohm @ 4.75A, 10V	4V @ 250µA	53nC @ 10V	2336pF @ 25V	10V	±30V
	GP1M010A080FH		获得报价	PDF RFQ	3,617 有现货	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220F	48W (Tc)	N-Channel	800V	9.5A (Tc)	1.05 Ohm @ 4.75A, 10V	4V @ 250µA	53nC @ 10V	2336pF @ 25V	10V	±30V
	GP1M010A080N		获得报价	PDF RFQ	3,252 有现货	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN	-	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-3P-3, SC-65-3	TO-3PN	312W (Tc)	N-Channel	900V	10A (Tc)	1.05 Ohm @ 5A, 10V	4V @ 250µA	53nC @ 10V	2336pF @ 25V	10V	±30V
	TSM10N80CI C0G	单位 $3.17	获得报价	PDF RFQ	3,417 有现货	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	ITO-220	48W (Tc)	N-Channel	800V	9.5A (Tc)	1.05 Ohm @ 4.75A, 10V	4V @ 250µA	53nC @ 10V	2336pF @ 25V	10V	±30V
	TSM10N80CZ C0G	单位 $3.05	获得报价	PDF RFQ	3,153 有现货	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220	48W (Tc)	N-Channel	800V	9.5A (Tc)	1.05 Ohm @ 4.75A, 10V	4V @ 250µA	53nC @ 10V	2336pF @ 25V	10V	±30V

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