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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
RJK1051DPB-00#J5
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK 45W (Tc) N-Channel - 100V 15A (Ta) 39 mOhm @ 7.5A, 10V - 15nC @ 4.5V 2060pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
RJK1051DPB-00#J5
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK - Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK 45W (Tc) N-Channel - 100V 15A (Ta) 39 mOhm @ 7.5A, 10V - 15nC @ 4.5V 2060pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
RJK1051DPB-00#J5
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK 45W (Tc) N-Channel - 100V 15A (Ta) 39 mOhm @ 7.5A, 10V - 15nC @ 4.5V 2060pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SIS612EDNT-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 50A SMT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 3.7W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 20V 50A (Tc) 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V 1.2V @ 1mA 70nC @ 10V 2060pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
SIS612EDNT-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 50A SMT TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 3.7W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 20V 50A (Tc) 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V 1.2V @ 1mA 70nC @ 10V 2060pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
SIS612EDNT-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 50A SMT TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 3.7W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 20V 50A (Tc) 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V 1.2V @ 1mA 70nC @ 10V 2060pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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