- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,565
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB | TrenchMOS™ | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236AB | 580mW (Ta) | N-Channel | - | 100V | 1.1A (Ta) | 385 mOhm @ 1.1A, 10V | 2.7V @ 250µA | 6.8nC @ 10V | 190pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,337
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 2.3A (Tc) | 234 mOhm @ 1.5A, 10V | 2.9V @ 250µA | 10.4nC @ 10V | 190pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,345
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 2.3A (Tc) | 234 mOhm @ 1.5A, 10V | 2.9V @ 250µA | 10.4nC @ 10V | 190pF @ 50V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,152
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 2.3A (Tc) | 234 mOhm @ 1.5A, 10V | 2.9V @ 250µA | 10.4nC @ 10V | 190pF @ 50V | 10V | ±20V |