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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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1,709
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 PowerTrench® Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SuperSOT™-6 800mW N-Channel - 30V 6.3A 25 mOhm @ 6.3A, 10V 3V @ 250µA 13nC @ 10V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMP3050LVT-7
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RFQ
1,077
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Diodes Incorporated MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TSOT-26 1.8W (Ta) P-Channel - 30V 4.5A (Ta) 50 mOhm @ 4.5A, 10V 2V @ 250µA 10.5nC @ 10V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
DMP3050LVT-7
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RFQ
3,718
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Diodes Incorporated MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TSOT-26 1.8W (Ta) P-Channel - 30V 4.5A (Ta) 50 mOhm @ 4.5A, 10V 2V @ 250µA 10.5nC @ 10V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
DMP3050LVT-7
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RFQ
3,920
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Diodes Incorporated MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TSOT-26 1.8W (Ta) P-Channel - 30V 4.5A (Ta) 50 mOhm @ 4.5A, 10V 2V @ 250µA 10.5nC @ 10V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
DMP3050LSS-13
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Diodes Incorporated MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.7W (Ta) P-Channel - 30V 4.8A (Ta) 45 mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 10.5nC @ 10V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
DMP3050LSS-13
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RFQ
2,798
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Diodes Incorporated MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.7W (Ta) P-Channel - 30V 4.8A (Ta) 45 mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 10.5nC @ 10V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
DMP3050LSS-13
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3,902
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Diodes Incorporated MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.7W (Ta) P-Channel - 30V 4.8A (Ta) 45 mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 10.5nC @ 10V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
SSM6K504NU,LF
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635
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B U-MOSVII Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-UDFNB (2x2) 1.25W (Ta) N-Channel - 30V 9A (Ta) 19.5 mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 100µA 4.8nC @ 4.5V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SSM6K504NU,LF
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RFQ
1,368
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B U-MOSVII Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-UDFNB (2x2) 1.25W (Ta) N-Channel - 30V 9A (Ta) 19.5 mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 100µA 4.8nC @ 4.5V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SSM6K504NU,LF
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RFQ
2,405
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B U-MOSVII Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-UDFNB (2x2) 1.25W (Ta) N-Channel - 30V 9A (Ta) 19.5 mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 100µA 4.8nC @ 4.5V 620pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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