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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIHG35N60E-GE3
单位
$6.94
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RFQ
1,976
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC E Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 250W (Tc) N-Channel - 600V 32A (Tc) 94 mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 132nC @ 10V 2760pF @ 100V 10V ±30V
SIHB35N60E-GE3
单位
$6.66
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RFQ
2,367
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263) 250W (Tc) N-Channel - 650V 32A (Tc) 94 mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 132nC @ 10V 2760pF @ 100V 10V ±30V
SIHP35N60E-GE3
单位
$6.30
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RFQ
3,896
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB E Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 250W (Tc) N-Channel - 600V 32A (Tc) 94 mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 132nC @ 10V 2760pF @ 100V 10V ±30V
SIHF35N60E-GE3
单位
$6.08
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RFQ
3,330
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220 E Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 Full Pack 39W (Tc) N-Channel - 600V 32A (Tc) 94 mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 132nC @ 10V 2760pF @ 100V 10V ±30V
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