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供应商设备包 :
功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STP11NM60A
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RFQ
1,763
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 MDmesh™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 110W (Tc) N-Channel - 600V 11A (Tc) 450 mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49nC @ 10V 1211pF @ 25V 10V ±30V
BUK9M14-40EX
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1,325
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SOT-1210, 8-LFPAK33 LFPAK33 55W (Tc) N-Channel - 40V 44A (Tc) 11 mOhm @ 15A, 10V 2.1V @ 1mA 11.3nC @ 5V 1211pF @ 25V 5V ±10V
BUK9M14-40EX
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$0.65
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RFQ
649
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SOT-1210, 8-LFPAK33 LFPAK33 55W (Tc) N-Channel - 40V 44A (Tc) 11 mOhm @ 15A, 10V 2.1V @ 1mA 11.3nC @ 5V 1211pF @ 25V 5V ±10V
BUK9M14-40EX
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RFQ
2,231
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SOT-1210, 8-LFPAK33 LFPAK33 55W (Tc) N-Channel - 40V 44A (Tc) 11 mOhm @ 15A, 10V 2.1V @ 1mA 11.3nC @ 5V 1211pF @ 25V 5V ±10V
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