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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STL35N15F3
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56 STripFET™ III Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 80W (Tc) N-Channel 150V 33A (Tc) 40 mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 49.4nC @ 10V 1905pF @ 25V 10V ±20V
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56 STripFET™ III Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 80W (Tc) N-Channel 150V 33A (Tc) 40 mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 49.4nC @ 10V 1905pF @ 25V 10V ±20V
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56 STripFET™ III Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 80W (Tc) N-Channel 150V 33A (Tc) 40 mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 49.4nC @ 10V 1905pF @ 25V 10V ±20V
PSMN038-100YLX
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 94.9W (Tc) N-Channel 100V 30A (Tc) 37.5 mOhm @ 5A, 10V 2.1V @ 1mA 39.2nC @ 10V 1905pF @ 25V 5V, 10V ±20V
PSMN038-100YLX
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 94.9W (Tc) N-Channel 100V 30A (Tc) 37.5 mOhm @ 5A, 10V 2.1V @ 1mA 39.2nC @ 10V 1905pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 94.9W (Tc) N-Channel 100V 30A (Tc) 37.5 mOhm @ 5A, 10V 2.1V @ 1mA 39.2nC @ 10V 1905pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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