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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TK3R1A04PL,S4X
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$1.80
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RFQ
1,121
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Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR U-MOSIX-H Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220SIS 36W (Tc) N-Channel - 40V 82A (Tc) 3.8 mOhm @ 30A, 4.5V 2.4V @ 500µA 63.4nC @ 10V 4670pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
TK3R1E04PL,S1X
单位
$1.80
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RFQ
1,826
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Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR U-MOSIX-H Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 87W (Tc) N-Channel - 40V 100A (Tc) 3.8 mOhm @ 30A, 4.5V 2.4V @ 500µA 63.4nC @ 10V 4670pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
TK3R1P04PL,RQ
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RFQ
2,527
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK U-MOSIX-H Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 175°C Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 87W (Tc) N-Channel - 40V 58A (Tc) 3.1 mOhm @ 29A, 10V 2.4V @ 500µA 60nC @ 10V 4670pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
TK3R1P04PL,RQ
单位
$1.43
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RFQ
669
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK U-MOSIX-H Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 175°C Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 87W (Tc) N-Channel - 40V 58A (Tc) 3.1 mOhm @ 29A, 10V 2.4V @ 500µA 60nC @ 10V 4670pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
TK3R1P04PL,RQ
单位
$0.55
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RFQ
3,449
有现货
Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK U-MOSIX-H Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 175°C Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 87W (Tc) N-Channel - 40V 58A (Tc) 3.1 mOhm @ 29A, 10V 2.4V @ 500µA 60nC @ 10V 4670pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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