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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPP230N06L3 G
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3,970
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 OptiMOS™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO-220-3 36W (Tc) N-Channel - 60V 30A (Tc) 23 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10nC @ 4.5V 1600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
IPB230N06L3GATMA1
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2,712
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 36W (Tc) N-Channel - 60V 30A (Tc) 23 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10nC @ 4.5V 1600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
IPB230N06L3GATMA1
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2,093
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3 OptiMOS™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 36W (Tc) N-Channel - 60V 30A (Tc) 23 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10nC @ 4.5V 1600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
IPB230N06L3GATMA1
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2,679
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 36W (Tc) N-Channel - 60V 30A (Tc) 23 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10nC @ 4.5V 1600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
IPD220N06L3GBTMA1
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3,709
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 36W (Tc) N-Channel - 60V 30A (Tc) 22 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10nC @ 4.5V 1600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
IPD220N06L3GBTMA1
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RFQ
2,768
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 36W (Tc) N-Channel - 60V 30A (Tc) 22 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10nC @ 4.5V 1600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
IPD220N06L3GBTMA1
单位
$0.22
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RFQ
1,054
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 36W (Tc) N-Channel - 60V 30A (Tc) 22 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10nC @ 4.5V 1600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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