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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
7 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FDS5692Z
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RFQ
2,472
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC UltraFET™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 50V 5.8A (Ta) 24 mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 1025pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
FDS5692Z
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RFQ
3,501
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC UltraFET™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 50V 5.8A (Ta) 24 mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 1025pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
FDS5692Z
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RFQ
3,872
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC UltraFET™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 50V 5.8A (Ta) 24 mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 1025pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IRL6342PBF
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RFQ
2,694
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC HEXFET® Discontinued at Digi-Key Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 9.9A (Ta) 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V 1.1V @ 10µA 11nC @ 4.5V 1025pF @ 25V 2.5V, 4.5V ±12V
IRL6342TRPBF
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RFQ
2,056
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 9.9A (Ta) 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V 1.1V @ 10µA 11nC @ 4.5V 1025pF @ 25V 2.5V, 4.5V ±12V
IRL6342TRPBF
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RFQ
3,349
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 9.9A (Ta) 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V 1.1V @ 10µA 11nC @ 4.5V 1025pF @ 25V 2.5V, 4.5V ±12V
IRL6342TRPBF
单位
$0.22
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RFQ
1,753
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 9.9A (Ta) 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V 1.1V @ 10µA 11nC @ 4.5V 1025pF @ 25V 2.5V, 4.5V ±12V
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