晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SIHP12N50E-GE3	单位 $0.90	获得报价	PDF RFQ	2,120 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	114W (Tc)	N-Channel	500V	10.5A (Tc)	380 mOhm @ 6A, 10V	4V @ 250µA	50nC @ 10V	886pF @ 100V	10V	±30V
	SIHB12N50E-GE3	单位 $2.47	获得报价	PDF RFQ	842 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263	-	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	114W (Tc)	N-Channel	500V	10.5A (Tc)	380 mOhm @ 6A, 10V	4V @ 250µA	50nC @ 10V	886pF @ 100V	10V	±30V
	SIHD12N50E-GE3	单位 $1.86	获得报价	PDF RFQ	2,694 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 500V DPAK	E	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TA)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-PAK (TO-252AA)	114W (Tc)	N-Channel	550V	10.5A (Tc)	380 mOhm @ 6A, 10V	4V @ 250µA	50nC @ 10V	886pF @ 100V	10V	±30V
	SIHA12N50E-E3	单位 $1.95	获得报价	PDF RFQ	3,339 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220FP	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220 Full Pack	32W (Tc)	N-Channel	500V	10.5A (Tc)	380 mOhm @ 6A, 10V	4V @ 250µA	50nC @ 10V	886pF @ 100V	10V	±30V

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