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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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2,110
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 90A TO-220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-262 1.8W (Ta), 176W (Tc) N-Channel 40V 90A (Tc) 2.8 mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 120nC @ 10V 7050pF @ 25V 10V ±20V
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 90A TO-220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220 1.8W (Ta), 176W (Tc) N-Channel 40V 90A (Tc) 2.8 mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 120nC @ 10V 7050pF @ 25V 10V ±20V
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3,576
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA TO-263 1.8W (Ta), 176W (Tc) N-Channel 40V 100A (Tc) 2.3 mOhm @ 50A, 10V - 120nC @ 10V 7050pF @ 25V 10V ±20V
IXTK22N100L
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$29.36
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IXYS MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264 (IXTK) 700W (Tc) N-Channel 1000V 22A (Tc) 600 mOhm @ 11A, 20V 5V @ 250µA 270nC @ 15V 7050pF @ 25V 20V ±30V
IXTX22N100L
单位
$34.15
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IXYS MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PLUS247™-3 700W (Tc) N-Channel 1000V 22A (Tc) 600 mOhm @ 11A, 20V 5V @ 250µA 270nC @ 15V 7050pF @ 25V 10V ±30V
IXTN22N100L
单位
$37.82
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3,783
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IXYS MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 700W (Tc) N-Channel 1000V 22A (Tc) 600 mOhm @ 11A, 20V 5.5V @ 250µA 270nC @ 15V 7050pF @ 25V 20V ±30V
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