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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
6 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIR438DP-T1-GE3
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RFQ
1,220
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.4W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 25V 60A (Tc) 1.8 mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 105nC @ 10V 4560pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SIR438DP-T1-GE3
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$2.07
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RFQ
2,028
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.4W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 25V 60A (Tc) 1.8 mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 105nC @ 10V 4560pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SIR438DP-T1-GE3
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RFQ
2,667
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.4W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 25V 60A (Tc) 1.8 mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 105nC @ 10V 4560pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SI4136DY-T1-GE3
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RFQ
1,156
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) N-Channel - 20V 46A (Tc) 2 mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 110nC @ 10V 4560pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SI4136DY-T1-GE3
单位
$1.75
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RFQ
3,803
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) N-Channel - 20V 46A (Tc) 2 mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 110nC @ 10V 4560pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
SI4136DY-T1-GE3
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RFQ
775
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) N-Channel - 20V 46A (Tc) 2 mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 110nC @ 10V 4560pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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