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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 16A TO220F - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 134.4W (Tc) N-Channel - 600V 16A (Tc) 199 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 52.3nC @ 10V 2170pF @ 100V 10V ±30V
FCP16N60N
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RFQ
2,394
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3 SupreMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220-3 134.4W (Tc) N-Channel - 600V 16A (Tc) 199 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 52.3nC @ 10V 2170pF @ 100V 10V ±30V
FCA16N60N
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$6.14
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V TO-3PN SupreMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3PN 134.4W (Tc) N-Channel - 600V 16A (Tc) 199 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 52.3nC @ 10V 2170pF @ 100V 10V ±30V
FCPF16N60NT
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RFQ
3,862
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V TO-220-3 SupreMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F-3 35.7W (Tc) N-Channel - 600V 16A (Tc) 199 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 52.3nC @ 10V 2170pF @ 100V 10V ±30V
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