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Rds开启(最大)@Id,Vgs :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
CSD17522Q5A
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 87A 8SON NexFET™ Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3W (Ta) N-Channel - 30V 87A (Tc) 8.1 mOhm @ 14A, 10V 2V @ 250µA 4.3nC @ 4.5V 695pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 87A 8SON NexFET™ Not For New Designs Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3W (Ta) N-Channel - 30V 87A (Tc) 8.1 mOhm @ 14A, 10V 2V @ 250µA 4.3nC @ 4.5V 695pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 87A 8SON NexFET™ Not For New Designs Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3W (Ta) N-Channel - 30V 87A (Tc) 8.1 mOhm @ 14A, 10V 2V @ 250µA 4.3nC @ 4.5V 695pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 87A 8SON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3W (Ta) N-Channel - 30V 87A (Tc) 8.8 mOhm @ 14A, 8V 2V @ 250µA 4.3nC @ 4.5V 695pF @ 15V 4.5V, 8V ±10V
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 87A 8SON NexFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3W (Ta) N-Channel - 30V 87A (Tc) 8.8 mOhm @ 14A, 8V 2V @ 250µA 4.3nC @ 4.5V 695pF @ 15V 4.5V, 8V ±10V
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 87A 8SON NexFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3W (Ta) N-Channel - 30V 87A (Tc) 8.8 mOhm @ 14A, 8V 2V @ 250µA 4.3nC @ 4.5V 695pF @ 15V 4.5V, 8V ±10V
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