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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
GP2M004A065PG
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 4A IPAK - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA I-PAK 98.4W (Tc) N-Channel 650V 4A (Tc) 2.4 Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 15nC @ 10V 642pF @ 25V 10V ±30V
GP2M004A065FG
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 4A TO220F - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 32.8W (Tc) N-Channel 650V 4A (Tc) 2.4 Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 15nC @ 10V 642pF @ 25V 10V ±30V
GP2M004A065HG
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660
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 4A TO220 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 98.4W (Tc) N-Channel 650V 4A (Tc) 2.4 Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 15nC @ 10V 642pF @ 25V 10V ±30V
GP2M004A065CG
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 4A DPAK - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 98.4W (Tc) N-Channel 650V 4A (Tc) 2.4 Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 15nC @ 10V 642pF @ 25V 10V ±30V
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821
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V TSOT-26 - Preliminary Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) - - - 1.38W P-Channel 30V 4.3A (Ta) 50 mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 11.8nC @ 10V 642pF @ 25V 4.5V, 10V ±25V
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3,131
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V TSOT-26 - Preliminary Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) - - - 1.38W P-Channel 30V 4.3A (Ta) 50 mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 11.8nC @ 10V 642pF @ 25V 4.5V, 10V ±25V
DMP3056L-13
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 1.38W (Ta) P-Channel 30V 4.3A (Ta) 50 mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 11.8nC @ 10V 642pF @ 25V 4.5V, 10V ±25V
DMP3056L-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 1.38W (Ta) P-Channel 30V 4.3A (Ta) 50 mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 11.8nC @ 10V 642pF @ 25V 4.5V, 10V ±25V
DMP3056L-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 1.38W (Ta) P-Channel 30V 4.3A (Ta) 50 mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 11.8nC @ 10V 642pF @ 25V 4.5V, 10V ±25V
DMP3056L-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 1.38W (Ta) P-Channel 30V 4.3A (Ta) 50 mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 11.8nC @ 10V 642pF @ 25V 4.5V, 10V ±25V
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