晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
TK62J60W,S1VQ	单位 $15.37	获得报价	PDF RFQ	3,824 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)	DTMOSIV	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-3P-3, SC-65-3	TO-3P(N)	400W (Tc)	N-Channel	Super Junction	600V	61.8A (Ta)	38 mOhm @ 30.9A, 10V	3.7V @ 3.1mA	180nC @ 10V	6500pF @ 300V	10V	±30V
TK62N60X,S1F	单位 $10.59	获得报价	PDF RFQ	3,286 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247	DTMOSIV-H	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	400W (Tc)	N-Channel	Super Junction	600V	61.8A (Ta)	40 mOhm @ 21A, 10V	3.5V @ 3.1mA	135nC @ 10V	6500pF @ 300V	10V	±30V
TK62N60W,S1VF	单位 $15.39	获得报价	PDF RFQ	1,714 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247	DTMOSIV	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247	400W (Tc)	N-Channel	Super Junction	600V	61.8A (Ta)	40 mOhm @ 30.9A, 10V	3.7V @ 3.1mA	180nC @ 10V	6500pF @ 300V	10V	±30V

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