- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,995
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247 | HEXFET® | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-274AA | SUPER-247 (TO-274AA) | 441W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 105A (Tc) | 15 mOhm @ 63A, 10V | 5V @ 250µA | 390nC @ 10V | 6810pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,223
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK | POWER MOS 8™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | D3Pak | 625W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 42A (Tc) | 130 mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 1mA | 170nC @ 10V | 6810pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,192
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 42A TO-247 | POWER MOS 8™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 [B] | 625W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 42A (Tc) | 130 mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 1mA | 170nC @ 10V | 6810pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1