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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPA105N15N3GXKSA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220-FP 40.5W (Tc) N-Channel - 150V 37A (Tc) 10.5 mOhm @ 37A, 10V 4V @ 160µA 55nC @ 10V 4300pF @ 75V 8V, 10V ±20V
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