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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7484TRPBF
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719
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 40V 14A (Ta) 10 mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100nC @ 7V 3520pF @ 25V 7V ±8V
IRF7484TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 40V 14A (Ta) 10 mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100nC @ 7V 3520pF @ 25V 7V ±8V
IRF7484TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 40V 14A (Ta) 10 mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100nC @ 7V 3520pF @ 25V 7V ±8V
AUIRF7484Q
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Infineon Technologies MOSFET N CH 40V 14A 8-SO HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 40V 14A (Ta) 10 mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100nC @ 7V 3520pF @ 25V 7V ±8V
IRF7484Q
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 40V 14A (Ta) 10 mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100nC @ 7V 3520pF @ 25V 7V ±8V
BSO130P03SNTMA1
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) P-DSO-8 1.56W (Ta) P-Channel - 30V 9.2A (Ta) 13 mOhm @ 11.3A, 10V 2.2V @ 140µA 81nC @ 10V 3520pF @ 25V 10V ±25V
AUIRF7484QTR
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Infineon Technologies MOSFET N CH 40V 14A 8-SO HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 40V 14A (Ta) 10 mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100nC @ 7V 3520pF @ 25V 7V ±8V
IRF7484PBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 40V 14A (Ta) 10 mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100nC @ 7V 3520pF @ 25V 7V ±8V
BSO130P03SHXUMA1
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) P-DSO-8 1.56W (Ta) P-Channel - 30V 9.2A (Ta) 13 mOhm @ 11.7A, 10V 2.2V @ 140µA 81nC @ 10V 3520pF @ 25V 10V ±25V
BSO130P03SHXUMA1
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) P-DSO-8 1.56W (Ta) P-Channel - 30V 9.2A (Ta) 13 mOhm @ 11.7A, 10V 2.2V @ 140µA 81nC @ 10V 3520pF @ 25V 10V ±25V
BSO130P03SHXUMA1
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) P-DSO-8 1.56W (Ta) P-Channel - 30V 9.2A (Ta) 13 mOhm @ 11.7A, 10V 2.2V @ 140µA 81nC @ 10V 3520pF @ 25V 10V ±25V
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