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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FDU8770_F071
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RFQ
709
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 35A IPAK PowerTrench® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA IPAK (TO-251) 115W (Tc) N-Channel - 25V 35A (Tc) 4 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 73nC @ 10V 3720pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
FDU8770
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RFQ
850
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK PowerTrench® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA IPAK (TO-251) 115W (Tc) N-Channel - 25V 35A (Tc) 4 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 73nC @ 10V 3720pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
FDD8770
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RFQ
812
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 35A DPAK PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 115W (Tc) N-Channel - 25V 35A (Tc) 4 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 73nC @ 10V 3720pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
FDD8770
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$1.04
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RFQ
884
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 35A DPAK PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 115W (Tc) N-Channel - 25V 35A (Tc) 4 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 73nC @ 10V 3720pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
FDD8770
单位
$0.40
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RFQ
787
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 35A DPAK PowerTrench® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 115W (Tc) N-Channel - 25V 35A (Tc) 4 mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 73nC @ 10V 3720pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
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