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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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2,845
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerDI3333-8 2W (Ta) N-Channel - 30V 60A (Tc) 7 mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 8.4nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerDI3333-8 2W (Ta) N-Channel - 30V 60A (Tc) 7 mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 8.4nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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2,738
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 2.6W (Ta) N-Channel - 30V 65A (Tc) 6 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 16.7nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 2.6W (Ta) N-Channel - 30V 65A (Tc) 6 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 16.7nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 2.6W (Ta) N-Channel - 30V 65A (Tc) 6 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 16.7nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIR462DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) N-Channel - 30V 30A (Tc) 7.9 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIR462DP-T1-GE3
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3,396
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) N-Channel - 30V 30A (Tc) 7.9 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIR462DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) N-Channel - 30V 30A (Tc) 7.9 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI4162DY-T1-GE3
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2,620
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta), 5W (Tc) N-Channel - 30V 19.3A (Tc) 7.9 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI4162DY-T1-GE3
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2,258
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta), 5W (Tc) N-Channel - 30V 19.3A (Tc) 7.9 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI4162DY-T1-GE3
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1,879
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta), 5W (Tc) N-Channel - 30V 19.3A (Tc) 7.9 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 1155pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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