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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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3,759
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 175A SP4 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP4 SP4 694W (Tc) N-Channel - 200V 175A (Tc) 12 mOhm @ 87.5A, 10V 5V @ 5mA 224nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±30V
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Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 175A SP4 - Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP4 SP4 694W (Tc) N-Channel - 200V 175A (Tc) 12 mOhm @ 87.5A, 10V 5V @ 5mA 224nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±30V
IXTH76P10T
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$6.31
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IXYS MOSFET P-CH 100V 76A TO-247 TrenchP™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 (IXTH) 298W (Tc) P-Channel - 100V 76A (Tc) 25 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 197nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±15V
IXFN94N50P2
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$21.42
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IXYS 500V POLAR2 HIPERFETS HiPerFET™, PolarP2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 780W (Tc) N-Channel - 500V 68A (Tc) 55 mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 220nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±30V
IXFK94N50P2
单位
$12.44
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IXYS MOSFET N-CH 500V 94A TO264 HiPerFET™, PolarHV™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA TO-264AA (IXFK) 1300W (Tc) N-Channel - 500V 94A (Tc) 55 mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 220nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±30V
IXTN30N100L
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$48.98
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IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227 - Active Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B 800W (Tc) N-Channel - 1000V 30A (Tc) 450 mOhm @ 15A, 20V 5.5V @ 250µA 545nC @ 20V 13700pF @ 25V 20V ±30V
IXFX94N50P2
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$17.35
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705
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IXYS MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247 HiPerFET™, PolarHV™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PLUS247™-3 1300W (Tc) N-Channel - 500V 94A (Tc) 55 mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 220nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±30V
IXTA76P10T
单位
$5.07
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3,647
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IXYS MOSFET P-CH 100V 76A TO-263 TrenchP™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (IXTA) 298W (Tc) P-Channel - 100V 76A (Tc) 25 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 197nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±15V
IXTP76P10T
单位
$4.92
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1,807
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IXYS MOSFET P-CH 100V 76A TO-220 TrenchP™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 298W (Tc) P-Channel - 100V 76A (Tc) 25 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 197nC @ 10V 13700pF @ 25V 10V ±15V
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