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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BUK7Y43-60EX
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK TrenchMOS™ Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 45W (Tc) N-Channel - 60V 22A (Tc) 43 mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 10.4nC @ 10V 617pF @ 25V 10V ±20V
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK TrenchMOS™ Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 45W (Tc) N-Channel - 60V 22A (Tc) 43 mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 10.4nC @ 10V 617pF @ 25V 10V ±20V
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK TrenchMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 45W (Tc) N-Channel - 60V 22A (Tc) 43 mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 10.4nC @ 10V 617pF @ 25V 10V ±20V
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 45W (Tc) N-Channel - 40V 33A (Tc) 21 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 10nC @ 10V 617pF @ 25V 10V ±20V
BUK7Y21-40EX
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK TrenchMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 45W (Tc) N-Channel - 40V 33A (Tc) 21 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 10nC @ 10V 617pF @ 25V 10V ±20V
BUK7Y21-40EX
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK TrenchMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 45W (Tc) N-Channel - 40V 33A (Tc) 21 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 10nC @ 10V 617pF @ 25V 10V ±20V
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