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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPL60R085P7AUMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 4VSON CoolMOS™ P7 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-PowerTSFN PG-VSON-4 154W (Tc) N-Channel - 650V 39A (Tc) 85 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
IPL60R085P7AUMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 4VSON CoolMOS™ P7 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-PowerTSFN PG-VSON-4 154W (Tc) N-Channel - 650V 39A (Tc) 85 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
IPL60R085P7AUMA1
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3,854
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 4VSON CoolMOS™ P7 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-PowerTSFN PG-VSON-4 154W (Tc) N-Channel - 650V 39A (Tc) 85 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
IPA60R080P7XKSA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220 CoolMOS™ P7 Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack PG-TO220 Full Pack 29W (Tc) N-Channel - 600V 37A (Tc) 80 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
IPZA60R080P7XKSA1
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Infineon Technologies MOSFET TO247-4 CoolMOS™ P7 Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-4 PG-TO247-4 129W (Tc) N-Channel - 600V 37A (Tc) 80 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
IPW60R080P7XKSA1
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3,520
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 CoolMOS™ P7 Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 PG-TO247-3 129W (Tc) N-Channel - 600V 37A (Tc) 80 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
IPP60R080P7XKSA1
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2,946
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3 CoolMOS™ P7 Active - MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 PG-TO220-3 129W (Tc) N-Channel - 600V 37A (Tc) 80 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
IPB60R080P7ATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 CoolMOS™ P7 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 129W (Tc) N-Channel - 650V 37A (Tc) 80 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
IPB60R080P7ATMA1
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3,601
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 CoolMOS™ P7 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 129W (Tc) N-Channel - 650V 37A (Tc) 80 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
IPB60R080P7ATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 CoolMOS™ P7 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 129W (Tc) N-Channel - 650V 37A (Tc) 80 mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51nC @ 10V 2180pF @ 400V 10V ±20V
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