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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SIHD6N80E-GE3	单位 $2.20	获得报价	PDF RFQ	658 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-252	E	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-PAK (TO-252AA)	78W (Tc)	N-Channel	-	800V	5.4A (Tc)	940 mOhm @ 3A, 10V	4V @ 250µA	44nC @ 10V	827pF @ 100V	10V	±30V
	SIHA6N80E-GE3	单位 $2.59	获得报价	PDF RFQ	1,886 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP	E	Active	-	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220 Full Pack	31W (Tc)	N-Channel	-	800V	5.4A (Tc)	940 mOhm @ 3A, 10V	4V @ 250µA	44nC @ 10V	827pF @ 100V	10V	±30V
	SIHP6N80E-GE3	单位 $2.52	获得报价	PDF RFQ	3,480 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB	E	Active	-	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	78W (Tc)	N-Channel	-	800V	5.4A (Tc)	940 mOhm @ 3A, 10V	4V @ 250µA	44nC @ 10V	827pF @ 100V	10V	±30V
	SIHU6N80E-GE3	单位 $2.42	获得报价	PDF RFQ	2,073 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-251	E	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	IPAK (TO-251)	78W (Tc)	N-Channel	-	800V	5.4A (Tc)	940 mOhm @ 3A, 10V	4V @ 250µA	44nC @ 10V	827pF @ 100V	10V	±30V

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