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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FDS4410
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RFQ
697
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC PowerTrench® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 30V 10A (Ta) 13.5 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 31nC @ 10V 1340pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
AON6578
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$0.35
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RFQ
959
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerSMD, Flat Leads 8-DFN (5x6) 5.6W (Ta), 35W (Tc) N-Channel - 30V 28A (Ta), 70A (Tc) 4.4 mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 30nC @ 10V 1340pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI5403DC-T1-GE3
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RFQ
1,336
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1206-8 ChipFET™ 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) P-Channel - 30V 6A (Tc) 30 mOhm @ 7.2A, 10V 3V @ 250µA 42nC @ 10V 1340pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI5403DC-T1-GE3
单位
$1.11
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RFQ
1,294
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1206-8 ChipFET™ 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) P-Channel - 30V 6A (Tc) 30 mOhm @ 7.2A, 10V 3V @ 250µA 42nC @ 10V 1340pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI5403DC-T1-GE3
单位
$0.43
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RFQ
851
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1206-8 ChipFET™ 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) P-Channel - 30V 6A (Tc) 30 mOhm @ 7.2A, 10V 3V @ 250µA 42nC @ 10V 1340pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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