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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IXTF03N400		获得报价	PDF RFQ	1,897 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	i4-Pac™-5 (3 Leads)	ISOPLUS i4-PAC™	70W (Tc)	N-Channel	4000V	300mA (Tc)	300 Ohm @ 150mA, 10V	4V @ 250µA	16.3nC @ 10V	435pF @ 25V	10V	±20V
	IXTV03N400S		获得报价	PDF RFQ	2,838 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	PLUS-220SMD	PLUS-220SMD	130W (Tc)	N-Channel	4000V	300mA (Tc)	290 Ohm @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	16.3nC @ 10V	435pF @ 25V	10V	±20V
	TSM2N60SCW RPG		获得报价	PDF RFQ	968 有现货	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223	-	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	2.5W (Tc)	N-Channel	600V	600mA (Tc)	5 Ohm @ 600mA, 10V	4V @ 250µA	13nC @ 10V	435pF @ 25V	10V	±30V
	TSM2N60SCW RPG	单位 $0.70	获得报价	PDF RFQ	1,709 有现货	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223	-	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	2.5W (Tc)	N-Channel	600V	600mA (Tc)	5 Ohm @ 600mA, 10V	4V @ 250µA	13nC @ 10V	435pF @ 25V	10V	±30V
	TSM2N60SCW RPG	单位 $0.24	获得报价	PDF RFQ	1,504 有现货	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223	-	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223	2.5W (Tc)	N-Channel	600V	600mA (Tc)	5 Ohm @ 600mA, 10V	4V @ 250µA	13nC @ 10V	435pF @ 25V	10V	±30V

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