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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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IXYS | MOSFET N-CH | Active | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227B | N-Channel | 1200V | 47A (Tc) | 50 mOhm @ 40A, 20V | 2.2V @ 2mA | 100nC @ 20V | 1900pF @ 1000V | 20V | +20V, -5V |