- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
5 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
739
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB | PowerTrench® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220-3 | 40.5W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 40A (Tc) | 15 mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 23nC @ 10V | 1235pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,701
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | PowerTrench® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 | 47.3W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 48A (Tc) | 14 mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 23nC @ 10V | 1235pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,693
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 11.6A (Ta) | 10 mOhm @ 11.6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 30nC @ 10V | 1235pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,173
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 11.6A (Ta) | 10 mOhm @ 11.6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 30nC @ 10V | 1235pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,221
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | PowerTrench® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 11.6A (Ta) | 10 mOhm @ 11.6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 30nC @ 10V | 1235pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1