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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SSM3J35CT,L3F
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RFQ
1,901
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 π-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C Surface Mount SC-101, SOT-883 CST3 100mW (Ta) P-Channel 20V 100mA (Ta) 8 Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA 12.2pF @ 3V 1.2V, 4V ±10V
SSM3J35CT,L3F
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$0.36
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RFQ
3,575
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 π-MOSVI Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C Surface Mount SC-101, SOT-883 CST3 100mW (Ta) P-Channel 20V 100mA (Ta) 8 Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA 12.2pF @ 3V 1.2V, 4V ±10V
SSM3J35CT,L3F
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RFQ
692
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 π-MOSVI Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C Surface Mount SC-101, SOT-883 CST3 100mW (Ta) P-Channel 20V 100mA (Ta) 8 Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA 12.2pF @ 3V 1.2V, 4V ±10V
SSM3J35MFV,L3F
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RFQ
2,243
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM π-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-723 VESM 150mW (Ta) P-Channel 20V 100mA (Ta) 8 Ohm @ 50mA, 4V - 12.2pF @ 3V 1.2V, 4V ±10V
SSM3J35MFV,L3F
单位
$0.25
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RFQ
1,973
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM π-MOSVI Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-723 VESM 150mW (Ta) P-Channel 20V 100mA (Ta) 8 Ohm @ 50mA, 4V - 12.2pF @ 3V 1.2V, 4V ±10V
SSM3J35MFV,L3F
单位
$0.03
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RFQ
1,050
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-723 VESM 150mW (Ta) P-Channel 20V 100mA (Ta) 8 Ohm @ 50mA, 4V - 12.2pF @ 3V - -
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