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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
CSD16325Q5C
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Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8SON NexFET™ Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSON-CLIP (5x6) 3.1W (Ta) N-Channel - 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 2 mOhm @ 30A, 8V 1.4V @ 250µA 25nC @ 4.5V 4000pF @ 12.5V 3V, 8V +10V, -8V
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2,993
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Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8SON NexFET™ Not For New Designs Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSON-CLIP (5x6) 3.1W (Ta) N-Channel - 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 2 mOhm @ 30A, 8V 1.4V @ 250µA 25nC @ 4.5V 4000pF @ 12.5V 3V, 8V +10V, -8V
CSD16325Q5C
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1,944
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Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8SON NexFET™ Not For New Designs Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSON-CLIP (5x6) 3.1W (Ta) N-Channel - 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 2 mOhm @ 30A, 8V 1.4V @ 250µA 25nC @ 4.5V 4000pF @ 12.5V 3V, 8V +10V, -8V
CSD16325Q5
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1,060
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Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSON-CLIP (5x6) 3.1W (Ta) N-Channel - 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 2 mOhm @ 30A, 8V 1.4V @ 250µA 25nC @ 4.5V 4000pF @ 12.5V 3V, 8V +10V, -8V
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$2.10
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Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON NexFET™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSON-CLIP (5x6) 3.1W (Ta) N-Channel - 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 2 mOhm @ 30A, 8V 1.4V @ 250µA 25nC @ 4.5V 4000pF @ 12.5V 3V, 8V +10V, -8V
CSD16325Q5
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Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON NexFET™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSON-CLIP (5x6) 3.1W (Ta) N-Channel - 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 2 mOhm @ 30A, 8V 1.4V @ 250µA 25nC @ 4.5V 4000pF @ 12.5V 3V, 8V +10V, -8V
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