晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	AUIRFS3006		获得报价	PDF RFQ	632 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK	HEXFET®	Discontinued at Digi-Key	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	375W (Tc)	N-Channel	-	60V	195A (Tc)	2.5 mOhm @ 170A, 10V	4V @ 250µA	300nC @ 10V	8970pF @ 50V	10V	±20V
	IRFB3006GPBF	单位 $1.65	获得报价	PDF RFQ	2,286 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB	HEXFET®	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	375W (Tc)	N-Channel	-	60V	195A (Tc)	2.5 mOhm @ 170A, 10V	4V @ 250µA	300nC @ 10V	8970pF @ 50V	10V	±20V
	IRFS3006PBF	单位 $5.16	获得报价	PDF RFQ	2,177 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK	HEXFET®	Not For New Designs	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	375W (Tc)	N-Channel	-	60V	195A (Tc)	2.5 mOhm @ 170A, 10V	4V @ 250µA	300nC @ 10V	8970pF @ 50V	10V	±20V
	IRFP3006PBF	单位 $6.24	获得报价	PDF RFQ	2,908 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 257A TO247	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	375W (Tc)	N-Channel	-	60V	195A (Tc)	2.5 mOhm @ 170A, 10V	4V @ 250µA	300nC @ 10V	8970pF @ 50V	10V	±20V
	IRFSL3006PBF	单位 $6.17	获得报价	PDF RFQ	2,340 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 195A TO262	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	375W (Tc)	N-Channel	-	60V	195A (Tc)	2.5 mOhm @ 170A, 10V	4V @ 250µA	300nC @ 10V	8970pF @ 50V	10V	±20V
	IRFB3006PBF	单位 $3.77	获得报价	PDF RFQ	2,902 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	375W (Tc)	N-Channel	-	60V	195A (Tc)	2.5 mOhm @ 170A, 10V	4V @ 250µA	300nC @ 10V	8970pF @ 50V	10V	±20V
	IRFS3006TRLPBF		获得报价	PDF RFQ	1,419 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	375W (Tc)	N-Channel	-	60V	195A (Tc)	2.5 mOhm @ 170A, 10V	4V @ 250µA	300nC @ 10V	8970pF @ 50V	10V	±20V
	IRFS3006TRLPBF	单位 $3.47	获得报价	PDF RFQ	3,499 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK	HEXFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	375W (Tc)	N-Channel	-	60V	195A (Tc)	2.5 mOhm @ 170A, 10V	4V @ 250µA	300nC @ 10V	8970pF @ 50V	10V	±20V
	IRFS3006TRLPBF	单位 $1.80	获得报价	PDF RFQ	3,805 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK	HEXFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	375W (Tc)	N-Channel	-	60V	195A (Tc)	2.5 mOhm @ 170A, 10V	4V @ 250µA	300nC @ 10V	8970pF @ 50V	10V	±20V

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