- 制造商 :
- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
- Vgs（最大值） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,552
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 75W (Tj) | N-Channel | - | 24V | 30A (Ta) | 14.5 mOhm @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 4.5V | 1000pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,425
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 75W (Tj) | N-Channel | - | 24V | 30A (Ta) | 14.5 mOhm @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 4.5V | 1000pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,842
有现货
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EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | eGaN® | Active | Digi-Reel® | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die | - | N-Channel | - | 40V | 53A (Ta) | 4 mOhm @ 33A, 5V | 2.5V @ 9mA | 8.7nC @ 5V | 1000pF @ 20V | 5V | +6V, -4V | ||
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获得报价 |
2,806
有现货
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EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | eGaN® | Active | Cut Tape (CT) | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die | - | N-Channel | - | 40V | 53A (Ta) | 4 mOhm @ 33A, 5V | 2.5V @ 9mA | 8.7nC @ 5V | 1000pF @ 20V | 5V | +6V, -4V |
粤ICP备2022113175号-1