- 零件状态 :
- 包装/箱 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,530
有现货
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | Obsolete | Bulk | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | D-3 Module | D3 | 175W (Tc) | N-Channel | - | 1200V | 25A (Tc) | 175 mOhm @ 10A, 20V | 2.5V @ 1mA | 72nC @ 20V | - | - | - | |||
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获得报价 |
1,995
有现货
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | Obsolete | Bulk | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 175W (Tc) | N-Channel | - | 1200V | 25A (Tc) | 175 mOhm @ 10A, 20V | 2.5V @ 1mA | 72nC @ 20V | - | 20V | +25V, -10V | |||
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获得报价 |
2,332
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 | Linear L2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 290W (Tc) | N-Channel | - | 1500V | 2A (Tc) | 15 Ohm @ 1A, 20V | 8.5V @ 250µA | 72nC @ 20V | 1470pF @ 25V | 20V | ±30V |