- 系列 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,554
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | Polar™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (IXTA) | 86W (Tc) | N-Channel | 1000V | 2A (Tc) | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 100µA | 24.3nC @ 10V | 655pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,655
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220 | Polar™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 86W (Tc) | N-Channel | 1000V | 2A (Tc) | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 100µA | 24.3nC @ 10V | 655pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,273
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 | Polar™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 86W (Tc) | N-Channel | 1000V | 2A (Tc) | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 100µA | 24.3nC @ 10V | 655pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,708
有现货
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Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 800V 6A TO220 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 110W (Tc) | N-Channel | 800V | 6A (Tc) | 950 mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 24.3nC @ 10V | - | 10V | 30V |
粤ICP备2022113175号-1