- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,107
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 180A TO-263 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-7 | 1.8W (Ta), 348W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 180A (Tc) | 1.4 mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 250µA | 294nC @ 10V | 16050pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,084
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 | 1.8W (Ta), 348W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 110A (Tc) | 1.75 mOhm @ 55A, 10V | 4V @ 250µA | 294nC @ 10V | 16050pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
756
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 76A TO247 | FRFET®, SuperFET® II | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 Long Leads | 595W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 76A (Tc) | 41 mOhm @ 38A, 10V | 5V @ 7.6mA | 294nC @ 10V | 13020pF @ 100V | 10V | ±20V |