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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIB441EDK-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L PowerPAK® SC-75-6L Single 2.4W (Ta), 13W (Tc) P-Channel 12V 9A (Tc) 25.5 mOhm @ 4A, 4.5V 900mV @ 250µA 33nC @ 8V 1180pF @ 6V 1.5V, 4.5V ±8V
SIB441EDK-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L PowerPAK® SC-75-6L Single 2.4W (Ta), 13W (Tc) P-Channel 12V 9A (Tc) 25.5 mOhm @ 4A, 4.5V 900mV @ 250µA 33nC @ 8V 1180pF @ 6V 1.5V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L PowerPAK® SC-75-6L Single 2.4W (Ta), 13W (Tc) P-Channel 12V 9A (Tc) 25.5 mOhm @ 4A, 4.5V 900mV @ 250µA 33nC @ 8V 1180pF @ 6V 1.5V, 4.5V ±8V
SI1442DH-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) N-Channel 12V 4A (Ta) 20 mOhm @ 6A, 4.5V 1V @ 250µA 33nC @ 8V 1010pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
SI1442DH-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) N-Channel 12V 4A (Ta) 20 mOhm @ 6A, 4.5V 1V @ 250µA 33nC @ 8V 1010pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
SI1442DH-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) N-Channel 12V 4A (Ta) 20 mOhm @ 6A, 4.5V 1V @ 250µA 33nC @ 8V 1010pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
SI1441EDH-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-363 2.8W (Tc) P-Channel 20V 4A (Tc) 41 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 33nC @ 8V - 1.8V, 4.5V ±10V
SI1441EDH-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-363 2.8W (Tc) P-Channel 20V 4A (Tc) 41 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 33nC @ 8V - 1.8V, 4.5V ±10V
SI1441EDH-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-363 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) P-Channel 20V 4A (Tc) 41 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 33nC @ 8V - 1.8V, 4.5V ±10V
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